三星电子目标价下调但维持增持:HBM与2nm代工能否对冲存储周期下行?

三星电子目标价下调但维持增持:HBM与2nm代工能否对冲存储周期下行?

摩根大通于2026年8月3日发布研究报告,维持对三星电子“增持”评级,但将目标价由48万韩元下调至40万韩元。此次调整主要反映当前存储器市场处于下行周期的宏观叙事,并将估值所用的倍数从8倍降至6倍。尽管目标价下调,该行仍强调三星电子在高带宽存储器(HBM)和晶圆代工领域的结构性优势正在增强,并建议投资者在股价疲弱阶段逐步建仓。

存储器长约锁定产能,提供下行周期缓冲

摩根大通指出,三星电子管理层在2026年第二季度业绩电话会议中披露了关键的长期合约(Long-Term Agreement, LTA)细节。根据披露内容,公司未来DRAM与NAND闪存产能中已有60%至70%通过长约锁定,合约基础期限为五年,并附带每年可选择延长一年的条款。更重要的是,这些合约设有最低价格保障机制,旨在确保公司在资本支出周期中获得足够回报,并维持对未来技术投资的激励。

截至2026年第二季度末,三星已与五家主要云服务提供商(CSP)完成长约签署,另有五家专注于人工智能应用的客户正处于合约谈判阶段。值得注意的是,公司已收取超过四分之一的长约预付款项,这不仅改善了短期现金流状况,也增强了市场对其订单可见性的信心。

HBM产品线加速推进,2027年市占率有望看齐整体DRAM水平

在高带宽存储器领域,摩根大通认为三星正快速缩小与竞争对手的技术差距。报告提到,三星的HBM4(采用12层堆叠方案)样品进展顺利,预计将在2026年下半年实现销售增长3%,并占据当年HBM总销售额的60%。更关键的是,该行预期到2027年,三星在HBM市场的份额将提升至与其整体DRAM市场份额相当的水平。

这一判断基于三星在HBM4E等下一代产品的研发节奏以及客户导入进度。随着AI服务器对高带宽、低延迟内存需求持续攀升,HBM已成为存储器厂商争夺高端市场的战略高地。三星通过绑定头部AI客户并提前锁定产能,有望在新一轮技术迭代中获取更大定价权和市场份额。

晶圆代工业务质变:博通2000亿美元订单与2nm制程突破

除存储器外,三星的晶圆代工业务也被摩根大通视为重要价值驱动因素。报告提及,公司近期获得博通(Broadcom)约2000亿美元规模的代工订单,涵盖其网络与无线芯片产品线。此外,三星还在2纳米制程节点上持续赢得客户,包括博通的N/W系列芯片、三星自研系统级芯片(SoC)以及特斯拉的人工智能芯片项目。

这些高附加值订单的集中落地,标志着三星晶圆代工组合的质量正在显著改善。结合管理层对2nm及以下节点量产节奏的乐观指引,晶圆代工有望在未来两年成为公司盈利结构中的稳定贡献来源。

新一代NAND与eSSD推动存储产品结构升级

在NAND闪存方面,三星亦展现出明确的产品升级路径。管理层表示,V10 NAND(层数超过300层)已于2026年8月进入量产阶段,这使其在高密度存储领域保持技术领先。与此同时,企业级固态硬盘(eSSD)在整体销售中的占比预计将在2026年超过60%,而采用QLC(四层单元)技术的bit出货量在下半年将较上半年翻倍。

QLC NAND虽在写入寿命上逊于TLC,但在成本和容量密度上具备显著优势,尤其适用于读取密集型的云存储和AI推理场景。三星通过提升QLC出货比例,既满足了客户对性价比的需求,也优化了自身产能利用率和单位利润结构。

风险回报比趋于有利,建议逢低布局

综合来看,尽管摩根大通下调了三星电子的目标价以反映存储器行业短期承压的现实,但其维持“增持”评级的立场表明,该行认为当前股价已部分消化了周期性风险。报告特别强调,在12个月的投资周期内,随着HBM放量、晶圆代工订单兑现以及长约机制带来的收入可见性提升,三星的风险回报比将变得“极具吸引力”。

对于全球科技投资者而言,三星电子正从传统的周期性存储器供应商,向兼具AI硬件基础设施能力和先进制程代工实力的综合半导体平台转型。虽然存储器价格波动仍是短期扰动因素,但其在HBM、2nm代工和高层数NAND等前沿领域的实质性进展,为长期估值提供了新的支撑逻辑。在此背景下,摩根大通建议投资者利用市场情绪低迷期逐步累积仓位,以捕捉后续基本面改善带来的上行机会。

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