2026年第一季度，SK海力士交出了一份令市场瞩目的成绩单：营收52.6万亿韩元，环比增长60.2%；营业利润37.6万亿韩元，环比接近翻倍。更值得关注的是，净利润高达40.3万亿韩元，环比飙升164.6%，显著超出市场预期。这一业绩背后，存储芯片的定价环境正展现出前所未有的韧性。

定价强势并非短期现象，结构性短缺成核心逻辑

从价格走势来看，SK海力士第一季度DRAM均价环比上涨中60%区间，NAND均价涨幅则达中70%区间。与美光相比，两家公司的定价走势高度一致——美光同期DRAM均价涨幅同样处于中60%区间，NAND涨幅则在高70%区间。这种价格同步性表明，存储芯片的涨价并非个别公司的短期策略，而是整个行业供需格局的反映。

伯恩斯坦在4月23日的报告中明确指出，SK海力士一季度业绩证明，存储芯片价格强势并非昙花一现。公司管理层在业绩说明会上强调，当前的供应短缺具有结构性特征，客户普遍将确保供应置于压价之上。这意味着，强劲定价环境的持续时间将比以往周期更长，现货价格的阶段性回落并不代表本轮周期已见顶。

从利润率角度看，这一判断有充分的数据支撑。SK海力士一季度整体毛利率达到79.3%，DRAM毛利率升至中80%区间，NAND毛利率亦可能突破60%。这一水平已明显超越2017至2018年的历史峰值。笔者认为，毛利率的持续高位运行，反映了存储芯片行业从周期性向成长性转变的结构性变化。

HBM需求未来三年供不应求，技术路线图清晰

HBM业务是本季度DRAM收入超预期的核心驱动。SK海力士明确表示，未来三年HBM需求将远超其自身供给能力，公司将在HBM与传统DRAM之间保持产能的平衡配置。

在产品路线图上，HBM4将按客户时间表推进量产，但公司未披露具体时间节点；HBM4E已于2026年下半年进入客户送样阶段，计划于2027年正式量产。从技术迭代节奏来看，SK海力士在HBM领域的领先地位正在进一步巩固。

出货量方面，一季度DRAM出货量环比持平，低于市场预期；NAND出货量则环比下降约10%。但公司给出积极指引：第二季度DRAM出货量将实现高个位数百分比增长，NAND出货量也将由跌转升，实现环比反弹。这预示着存储市场的景气度有望延续。

资本支出大幅提升，产能扩张有序推进

SK海力士指引2026年全年资本支出将较上年显著增加，但未披露具体金额。据伯恩斯坦预测，全年资本支出约为420万亿韩元，高于2025年的275万亿韩元。公司表示，支出将重点投向基础设施建设与战略性设备采购。

在具体产能规划上，位于龙仁的第一晶圆厂（Y1）第一期洁净室预计于2027年2月建成，规划用于DRAM生产，整体项目共规划六期。NAND方面，SK海力士正通过技术升级实现产能扩充，计划于2026年底前将50%的国内产能迁移至321层堆叠工艺。

尽管一季度资本支出环比有所下降，主要受季节性因素影响，但仍明显高于2025年大部分季度的水平。这表明，公司对存储芯片的长期需求前景充满信心，正在积极布局未来产能。

行业周期性质正在改变，投资者需关注什么？

从SK海力士的业绩和指引中，笔者认为有几点值得投资者重点关注：

第一，存储芯片的周期性正在减弱，成长性在增强。HBM、AI服务器、自动驾驶等新兴应用场景对存储芯片的需求正在形成长期支撑，这使得行业供需格局发生根本性变化。

第二，结构性短缺意味着定价环境将更加稳定。以往存储芯片价格暴涨暴跌的周期特征可能正在改变，价格波动区间收窄，高位运行时间延长。

第三，资本支出的扩张表明行业龙头对未来需求充满信心。但这同时也意味着，随着产能逐步释放，供需平衡可能在未来某个时间点发生变化。

从投资角度分析，存储芯片板块的估值逻辑正在从周期股向成长股转变。投资者在关注短期价格波动的同时，更应关注公司在HBM、先进封装等前沿领域的技术布局和市场份额变化。当然，任何投资决策都需要结合自身风险承受能力，市场永远存在不确定性。