三星1d DRAM量产在即：2027年底能否抢占HBM5E先机？
三星电子正加速推进其下一代存储芯片技术的商业化进程。据韩国科技媒体ZDNET Korea于2026年6月17日报道，三星电子已联合多家设备与材料供应商，全力开发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的制造工艺。尽管具体时间表仍存在调整可能，但行业知情人士透露，相关量产设备预计将在2027年第二或第三季度导入生产线。考虑到设备调试、良率爬坡及客户验证等必要环节，三星电子最早可能在2027年底实现1d DRAM的初步量产。这一进展标志着全球DRAM技术竞赛进入新阶段，并为未来高带宽内存（HBM）产品的演进奠定关键基础。
技术演进：从1c到1d，微缩工艺逼近物理极限
当前市场上主流的高端DRAM产品为第六代10纳米级（1c）DRAM，其电路线宽约为11至12纳米。而即将量产的1d DRAM将线宽进一步缩小至10至11纳米区间。虽然数字上仅相差1纳米左右，但在半导体制造领域，每一代“节点”迭代都意味着光刻精度、薄膜沉积控制、蚀刻均匀性等多维度工艺的系统性升级。更窄的线宽不仅可提升单位面积内的晶体管密度，还能降低功耗并提高数据传输速率——这对人工智能服务器、高性能计算和下一代数据中心至关重要。
值得注意的是，DRAM的“1x/1y/1z/1a/1b/1c/1d”命名体系并非严格对应国际半导体技术路线图（ITRS）中的物理尺寸，而是各厂商内部的技术代际标识。三星电子自2016年推出1x DRAM以来，平均每12至18个月推进一代，维持着相对稳定的研发节奏。1d作为第七代10纳米级技术，代表了当前DRAM微缩工艺的最前沿。然而，随着特征尺寸逼近10纳米以下，传统平面结构DRAM面临漏电流增加、电容耦合干扰加剧等物理瓶颈，业界普遍认为未来可能需要转向新型架构（如堆叠式电容或3D DRAM）以延续摩尔定律。
量产时间表与供应链协同挑战
根据报道，三星电子计划在2027年中导入1d DRAM量产设备，这意味着其必须在2026年下半年完成关键工艺模块的验证，并与设备制造商（如应用材料、东京电子、ASML等）紧密协作，确保极紫外光刻（EUV）及其他先进制程工具的稳定供应。EUV技术已在1z及后续节点中逐步引入，用于关键层的图案化，以克服多重曝光带来的成本与良率问题。1d DRAM预计将更广泛地采用EUV，这对设备产能和维护能力提出更高要求。
初步量产定于2027年底，这一时间点虽较此前市场预期略有延迟（部分分析师曾预测2027年中），但仍处于行业领先位置。竞争对手方面，SK海力士和美光科技也在推进各自的1d或等效节点研发。公开信息显示，SK海力士已在其HBM4产品中应用接近1d水平的DRAM芯片，而美光则采取更为保守的策略，强调通过封装与架构创新弥补制程差距。三星若能如期实现1d量产，将在高端DRAM市场维持技术代差优势，尤其在高带宽内存（HBM）这一高增长细分领域。
HBM5E：1d DRAM的首个关键应用场景
报道特别指出，三星电子的1d DRAM预计将作为第九代高带宽内存（HBM5E）的核心存储芯片，该产品计划于2029年实现商业化。HBM通过将多个DRAM裸片垂直堆叠并与逻辑芯片通过硅通孔（TSV）互连，提供远超传统GDDR的带宽密度，已成为AI训练芯片（如英伟达H100、AMD MI300系列）的标准配置。随着大模型参数规模持续膨胀，对内存带宽的需求呈指数级增长，推动HBM技术快速迭代。
从HBM3到HBM4再到未来的HBM5E，每一代升级都依赖底层DRAM芯片的性能提升。1d DRAM凭借更高的速度（预计可达9.6 Gbps以上）和更低的每比特功耗，将成为支撑HBM5E实现2TB/s以上带宽的关键。三星作为全球最大的DRAM供应商，其1d技术进度直接影响HBM生态的演进节奏。若2027年底顺利量产，将为其争取至少18个月的客户导入窗口，有望在2029年HBM5E商用时占据主导份额。
市场影响与投资逻辑
对于全球半导体产业链而言，三星1d DRAM的推进释放出明确信号：存储芯片的技术竞赛并未因周期波动而放缓。尽管DRAM市场在2025至2026年经历供需再平衡，价格波动加剧，但头部厂商仍在资本开支上保持战略定力，尤其聚焦于AI驱动的高端产品线。投资者需关注两个关键指标：一是2027年设备导入的实际进度，二是HBM客户（如英伟达、AMD、微软、Meta等）对1d样品的验证反馈。
从长期看，1d DRAM的成功量产不仅关乎三星的市场份额，更将影响整个AI基础设施的成本结构。更高性能、更低功耗的内存可减少服务器集群的散热与电力需求，间接提升数据中心的整体能效比。在碳中和与算力需求双重压力下，此类技术突破具备显著的外部经济价值。
综上所述，三星电子计划于2027年底初步量产1d DRAM，是其维持技术领导地位的关键一步。尽管面临工艺复杂度攀升与供应链协同挑战，但该技术与HBM5E的绑定使其具备清晰的商业化路径。在全球AI军备竞赛持续升温的背景下，先进存储芯片的战略价值正被重新定义——它不再只是周期性 commodity，而是决定算力上限的核心要素之一。
