三星电子加速1d DRAM研发，剑指2029年HBM5E供应链

三星电子正加速推进其第七代10纳米级（1d）DRAM的研发进程，据韩国媒体ZDNET Korea于2026年6月17日报道，该公司已联合多家设备与材料合作伙伴，加紧开发用于量产1d DRAM的关键制程设备。这一进展标志着全球存储芯片技术竞赛进入新阶段，对高性能计算、人工智能基础设施及下一代高带宽内存（HBM）供应链将产生深远影响。

技术演进：从1c到1d，微缩工艺逼近物理极限

当前市场上商用的最新一代DRAM产品为第六代10纳米级（1c）DRAM，其电路线宽约为11至12纳米。而即将量产的1d DRAM将线宽进一步缩小至10至11纳米区间。尽管数字上仅缩减1纳米左右，但在DRAM制造领域，每一代“1x”节点的推进都意味着光刻层数增加、工艺复杂度指数级上升，以及对极紫外（EUV）光刻技术依赖度的显著提升。

DRAM的微缩不仅关乎单位面积内可集成的存储单元数量，更直接影响产品的性能与能效比。更窄的线宽有助于降低工作电压、减少漏电流，并提升数据传输速率——这些特性对于训练大模型所需的AI加速器至关重要。值得注意的是，三星电子此次推进的1d DRAM并非面向通用消费市场，而是明确指向高端HBM产品线。知情人士指出，1d DRAM芯片预计将作为核心堆叠单元，用于第九代高带宽内存（HBM5E），该产品计划于2029年实现商业化。

产业链协同：设备导入节奏决定量产窗口

DRAM制造高度依赖上游半导体设备供应商的技术能力。三星电子此次强调“携手多家合作伙伴”推进1d研发，侧面反映出其在EUV多重图案化、原子层沉积（ALD）、高深宽比蚀刻等关键环节对应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）、ASML等厂商的深度绑定。

然而，量产时间表仍存在变数。这对依赖稳定高端DRAM供应的英伟达、AMD及云服务商构成潜在供应链风险，也可能影响HBM5E的上市节奏。

市场格局：三星押注HBM赛道以重夺技术领导地位

在全球DRAM市场，三星、SK海力士与美光三足鼎立。

1d DRAM的研发因此不仅是技术迭代，更是三星夺回HBM市场话语权的关键一役。通过将1d节点专用于HBM5E，三星试图在2029年产品周期切换时实现“代际反超”。此举也反映出存储芯片厂商的战略转向：不再单纯追求标准DRAM的市占率，而是聚焦AI驱动的定制化高带宽产品，以获取更高毛利率与长期客户绑定。

值得注意的是，HBM5E的商业化时间定于2029年，意味着当前1d DRAM的投入属于典型的“长周期技术押注”。在此期间，若AI算力架构发生重大变革（例如光子计算或存算一体技术取得突破），传统DRAM堆叠路线的价值可能被削弱。但就目前主流技术路径而言，HBM仍是大模型训练不可替代的内存解决方案。