三星亮相400层V-NAND与zHBM概念技术！剑指AI内存制高点，全面发力下一代存储竞争

当地时间8月5日，三星电子(SSNLF.US)在美国加州圣克拉拉举行的Future Memory & Storage（FMS 2026）大会上，集中展示了多项面向AI时代的新一代存储技术，包括超过400层的V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型、垂直堆叠高带宽内存（zHBM）概念以及zNAND-O架构，进一步完善其AI存储产品路线图，并向SK海力士(SKHY.US)、美光科技(MU.US)等竞争对手发起新一轮技术竞争。

整体来看，三星此次发布的产品大多仍处于研发或概念验证阶段，尚未公布明确的量产时间表，但其技术方向与当前AI数据中心对更高带宽、更大容量、更低功耗存储方案的需求高度契合。

超400层V-NAND亮相，三星持续提升NAND竞争力

作为全球最大的存储芯片厂商之一，三星首次公开展示采用晶圆键合（Bonding）架构的V10 BV-NAND原型产品。

相比上一代V9 NAND，新产品堆叠层数突破400层，存储密度提升约58%，同时读写速度和I/O性能进一步优化。随着AI训练、大模型推理以及企业级数据中心持续扩容，高容量、高性能NAND的重要性不断提升，三星希望借助新一代BV-NAND进一步增强企业级SSD及AI存储产品竞争力。

业内普遍认为，Bonding架构也是未来超高层NAND发展的主要方向之一，有望进一步提升存储密度、生产良率及能效表现。

zHBM首次亮相，探索下一代AI内存架构

相比V-NAND，更受市场关注的是三星首次公开展示的zHBM概念技术。

不同于目前HBM通过2.5D封装部署在AI GPU旁边，zHBM尝试将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器上方，从而进一步缩短数据传输距离，降低延迟并提升带宽利用率。

按照三星公布的数据，相比下一代HBM5，zHBM理论上可实现约8倍性能提升、超过10倍内存密度提升，同时能效提升约3倍、热阻降低50%以上，并支持更加灵活的定制化设计。

不过需要注意的是，目前zHBM仍属于概念验证阶段，三星尚未公布商业化时间表。公司表示，今年下半年仍将优先扩大HBM4产能，以满足AI市场快速增长的需求。

与此同时，三星还展示了基于V-NAND打造的zNAND-O架构，主要面向低时延、高吞吐的数据密集型AI应用场景，进一步丰富其AI存储产品布局。

AI存储竞争进入新阶段

三星此次集中展示下一代存储技术，也意味着全球AI内存竞争正在进一步升级。

目前，SK海力士凭借HBM产品率先受益于AI算力浪潮，美光也持续扩大HBM市场份额。相比之下，三星正试图依托HBM、NAND、企业级SSD以及未来新型存储架构，打造覆盖AI基础设施的完整存储产品矩阵。

除了硬件产品，公司还同步披露了下一代存内计算（Processing-In-Memory）芯片、高容量企业级SSD等研发路线，希望进一步强化其"端到端AI存储解决方案"的定位。

AI需求仍是行业最大增长动力

尽管市场仍担忧全球消费电子需求复苏节奏，以及部分终端市场需求存在波动，但AI仍然是推动存储行业增长的核心驱动力。

三星此前披露，公司已与多家客户签署长期供货协议，预计未来长期协议覆盖的内存销售额有望达到整体销售额的60%至70%，反映出AI客户对于高端存储产品需求依然旺盛。

与此同时，多家机构认为，目前DRAM与NAND产业链整体库存仍处于历史相对低位，在AI服务器持续扩张的背景下，高端存储产品需求仍具备较强支撑。

AI时代竞争已从HBM延伸至整个存储体系

对于投资者而言，此次FMS大会释放出的信号，不只是三星推出了几项新技术，更意味着AI存储竞争正在从HBM逐步扩展至整个存储架构。

随着AI应用逐步从模型训练迈向大规模推理，市场对于高带宽、高容量以及低功耗存储方案的需求不断提升，仅依赖传统HBM或SSD已难以满足未来数据中心的发展要求。无论是BV-NAND、zHBM还是zNAND-O，本质上都是围绕"提升数据搬运效率、突破AI内存瓶颈"展开的新一轮技术布局。

短期来看，HBM4仍将是三星AI存储业务的重点方向，而此次展示的400层BV-NAND和zHBM更多体现的是公司未来数年的技术储备。若后续相关技术顺利推进并实现商业化，三星有望进一步完善AI存储生态，并提升其在下一轮全球AI基础设施建设中的竞争力。