小摩研报解读：半导体设备与材料需求全面上修，价格趋涨信号明确
半导体设备与材料行业的需求和定价权正在同步上修。
摩根大通在 8月 17 日发布的半导体与科技材料研报中，汇总了 4至 6 月海外企业业绩的核心结论。报告指出，芯片制造商上调资本开支、设备商上调 WFE 展望、存储 LTAs 加速推进，三个方向的需求均比三个月前更强劲。需求持续强劲的背景下，不仅是存储芯片厂商，设备商和材料商也出现了逐步提价的迹象。
芯片制造商竞相上调资本开支
台积电将 2026 年资本开支指引上调至 600到 640 亿美元，增幅约 15%，中值同比增长 52%。先进制程占资本开支的 70%到 80%，其中 2nm 和3nm 是投资重点。管理层表示正与设备商紧密合作，设备不会成为产能瓶颈。台积电此前已宣布在亚利桑那州追加 1000 亿美元投资，此次资本开支上修进一步确认了其全球产能扩张的节奏正在加快。
英特尔将 2026 年资本开支从约 180 亿美元上调至 200 亿美元（同比增长 11%），其中设备资本开支同比增长 40%，并预计 2027 年将进一步显著增长。大部分资本开支将投向美国，前端设备占大头，但后端设备（与 EMIB-T 相关）的投资也在增加。18A 节点预计 2026 年底量产，14A 节点计划 2027 年下半年风险生产、2028 年量产。英特尔正在通过 IDM 2.0 战略重构其制造能力，设备采购的集中释放将对 WFE 市场形成持续拉动。
SK 海力士 2026 年资本开支计划为 40 万亿韩元，同比增长 45%，M15X 量产爬坡已提前，龙仁 Fab 1 将在 2027 年初启用。三星电子未披露详细计划，但 Taylor Fab 1 按计划在 2026 年启动，2nm 逐步爬坡，Taylor Fab 2 计划今年动工、2030 年量产。韩国两大存储巨头的资本开支节奏正在从观望转向加速，尤其是 HBM 产能扩张对前端设备的需求拉动正在成为 WFE 市场的额外增量。
设备商 WFE 展望上调，毛利率同步改善
东京电子将 2026年 WFE 展望上调至 1500 亿美元以上，2027 年上调至 1900 亿美元以上。此前展望为 2026至 2027 年合计 1500到 1700 亿美元（较 2025 年增长 20%以上）。管理层还提到，通过提价等措施，毛利率有望在 2027 财年初达到 50%（2026年 4至 6 月为 47%）。东京电子是全球第四大半导体设备供应商，在涂布显影、刻蚀、沉积等多个细分领域拥有领先份额，其 WFE 展望的上修具有行业风向标意义。
Screen Holdings 将2026年 WFE 展望从此前约 15%到 20%的同比增长上调至 20%以上（至少 1400 亿美元），并预计 2027 年保持类似增速。作为清洗设备的全球领导者，Screen 的展望上调进一步验证了 WFE 市场的上行动能正在从头部设备商向全行业扩散。
存储 LTAs 加速覆盖，锁定产能与利润
存储芯片的长期协议正在从“是否签署”转向“签多少、签给谁”。三星计划将 60%到 70%的 DRAM 产能纳入 LTA，目前已签署 5 份协议，另有 5 份在最终谈判阶段，客户包括 AWS、微软、谷歌、Meta和 Oracle。三星的 LTA 定价机制以五年期滚动合同为主，附带约 25%的预付款。
SK 海力士已签署约 10 份协议，期限约五年，附带预付款，定价因客户而异，旨在减少价格波动。SK 海力士在 HBM 市场的领先地位使其在 LTA 谈判中拥有较强的定价话语权。
SanDisk 已签署 8 份协议（其中 3 份与美国超大规模厂商），平均期限四年（最长五年），已收到多个客户关于五年以上合约的询价。协议覆盖 2027 年约 50%的 bit 需求和 2028 年约三分之二的 bit 需求，价格固定或可变（取决于客户），即使在可变定价结构的价格下限下，毛利率仍可达约 80%。SanDisk的 LTA 条款最透明，固定价格与带上下限的可变价格双轨并行，客户按需选择。
三家厂商的 LTA 条款差异正在形成新的行业定价基准。三星追求高覆盖率的滚动协议，SK 海力士侧重期限和定价稳定性，SanDisk 则提供灵活的价格选项。小摩认为，LTAs 正在改变存储行业的定价逻辑和盈利稳定性，设备与材料环节将是这一趋势的延伸受益者。这三个信号指向同一个方向：半导体设备与材料的景气周期正在从量的扩张转向量与价的双重驱动。日本半导体和科技材料企业有望成为这一趋势的主要受益者。
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本文系潮向研究对第三方券商研究报告（摩根大通，2026年 8月 17 日）的整理与解读，结合公开市场信息的整理。文中引述的评级、目标价、盈利预测及相关判断，均为该券商分析师的观点，仅代表其所属机构立场，不代表潮向研究的观点，也不构成任何投资建议。
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