高盛研报解读:三季度存储器预期基本符合,PC DRAM 上调至 18-23%

存储器涨价的基本面没有松动,供应商的产能配置策略是决定性因素。

三季度存储器价格延续上涨,但品类之间出现分化。

8 月 31 日,高盛发布存储器价格追踪报告。TrendForce 上调了 3Q26 PC DRAM 价格预期至 18%至 23%,服务器 DRAM 维持 13%至 18%增幅,移动 DRAM 预期下调至 8%至 13%,NAND 预期 20%基本符合高盛预测。各品类涨价的共同逻辑是供应商持续将产能向服务器 DRAM 和 HBM 倾斜,压缩了其他品类的供给。高盛维持三星电子和 SK 海力士的买入评级。

PC DRAM 预期上调,DDR5 折价维持在 6%

TrendForce 将 3Q26 PC DRAM 价格涨幅预期从 15%至 20%上调至 18%至 23%,略高于高盛预测的 17%环比增长。8 月现货市场数据显示,DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 分别上涨 2%至 142 美元和 133 美元。DDR5 相较 DDR4 的折价维持在 6%,与 7 月持平。

高盛研报解读:三季度存储器预期基本符合,PC DRAM 上调至 18-23%

PC DRAM 上调反映了下游需求的韧性。PC 终端市场增速温和,AI PC 对内存容量的需求正在推动结构性升级,单机搭载容量持续走高。高盛预计这一趋势将在四季度延续。

服务器 DRAM 定价坚挺,DDR5 溢价扩大

服务器 DRAM 是三季度价格最为坚挺的品类。TrendForce 维持 13%至 18%的环比增幅预期,与高盛预测的 18%基本一致。

8 月现货市场验证了这一趋势。DDR4 64GB 模块价格持平于 1295 美元,DDR5 64GB 模块上涨 1%至 1500 美元,DDR5 相较 DDR4 的溢价从 7 月的 15%扩大至 16%。

AI 服务器对高带宽、大容量内存的需求持续支撑 DDR5 的定价。HBM 产能持续占用 DRAM 晶圆厂产能,服务器 DDR5 的供给紧张局面短期内难以缓解。

移动 DRAM 预期下调,短期库存压力显现

移动 DRAM 是三季度唯一被下调预期的品类。TrendForce 将 3Q26 移动 DRAM 价格涨幅预期下调至 8%至 13%,略低于高盛预测的 14%环比增长。TrendForce 预计 4Q26 将进一步放缓至 0%至 5%。

需求走弱的原因来自客户库存水平偏高。经过前几个季度的备货,手机厂商的 DRAM 库存已升至较高水平,短期采购动能减弱。TrendForce 对 2027 年的价格展望仍然积极,供应商将持续把产能优先配置给服务器 DRAM 和 HBM,移动 DRAM 的供给增长受限。

高盛认为,移动 DRAM 的短期疲软是节奏问题,不代表趋势逆转。2027 年价格仍将得到供给端的有力支撑。

NAND 预期基本符合,移动端仍是主要需求来源

移动 NAND 在三季度的价格预期为环比增长 20%,与高盛预测的 15%至 20%整体 NAND 涨幅基本一致。eMMC/UFS 256GB 3Q26 合约价已上涨约 20%。

NAND 的供需格局与 DRAM 类似,供应商的产能分配同样向高附加值产品倾斜,移动 NAND 的供给增长受到限制。NAND 的需求弹性更大,消费电子市场的波动将直接影响价格走势。高盛预计四季度 NAND 价格涨幅将有所收窄。

存储器涨价的基本面没有松动,供应商的产能配置策略是决定性因素。移动 DRAM 的短期库存调整只是节奏问题,不代表需求趋势的逆转。三星电子和 SK 海力士作为全球存储器龙头,仍是这一趋势的主要受益者。

高盛研报解读:三季度存储器预期基本符合,PC DRAM 上调至 18-23%

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本文系潮向研究对第三方券商研究报告(高盛,2026 年 8 月 31 日)的整理与解读,结合公开市场信息的整理。文中引述的评级、目标价、盈利预测及相关判断,均为该券商分析师的观点,仅代表其所属机构立场,不代表潮向研究的观点,也不构成任何投资建议。

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